| 主权项 |
一种X波段高抑制微型带通滤波器，其特征在于：包括第一陶瓷基板(S1)、第二陶瓷基板(S2)、第三陶瓷基板(S3)、第四陶瓷基板(S4)、第五陶瓷基板(S5)、上表面金属壁(G1)、第二金属壁(G2)、第三金属壁(G3)、下表面金属壁（G4）、第一金属化通孔壁（G01）、第二金属化通孔壁（G02）、第三金属化通孔壁（G03）、第一平面金属板（C1）、第二平面金属板（C2）、第三平面金属板（C3）、第四平面金属板（C4）、第五平面金属板（C5）、第六平面金属板（C6）、第七平面金属板（C7）、第八平面金属板（C8）、输入端口（P1）、输出端口（P2）、第一过孔（gap1）、第二过孔（gap2）、第三过孔（gap3）、第四过孔（gap4）、第五过孔（gap5）、第六过孔（gap6）、第七过孔（gap7）、第八过孔（gap8）、第一金属化通孔（L1）、第二金属化通孔（L2）、第三金属化通孔（L3）、第四金属化通孔（L4）、第五金属化通孔（L5）、第六金属化通孔（L6）、第七金属化通孔（L7）、第八金属化通孔（L8）；第一金属化通孔（L1）、第四金属化通孔（L4）、第五金属化通孔（L5）、第八金属化通孔（L8）一端均与上表面金属壁（G1）连接；第一金属化通孔（L1）另一端接第一平面金属板（C1）、第二金属化通孔（L2）另一端接第二平面金属板（C2）、第三金属化通孔（L3）另一端接第三平面金属板（C3）、第四金属化通孔（L4）另一端接第四平面金属板（C4）、第五金属化通孔（L5）另一端接第五平面金属板（C5）、第六金属化通孔（L6）另一端接第六平面金属板（C6）、第七金属化通孔（L7）另一端接第七平面金属板（C7）、第八金属化通孔（L8）另一端接第八平面金属板（C8）；第一金属化通孔（L1）垂直穿过第一过孔（gap1）、第二金属化通孔（L2）垂直穿过第二过孔（gap2）、第三金属化通孔（L3）垂直穿过第三过孔（gap3）、第四金属化通孔（L4）垂直穿过第四过孔（gap4）、第五金属化通孔（L5）垂直穿过第五过孔（gap5）、第六金属化通孔（L6）垂直穿过第六过孔（gap6）、第七金属化通孔（L7）垂直穿过第七过孔（gap7）、第八金属化通孔（L8）垂直穿过第八过孔（gap8）；第一过孔（gap1）、第四过孔（gap4）、第五过孔（gap5）、第八过孔（gap8）位于第二金属壁（G2）上，第二过孔（gap2）、第三过孔（gap3）、第六过 孔（gap6）、第七过孔（gap7）位于第三金属壁（G3）上；第一陶瓷基板(S1)、第二陶瓷基板(S2)、第三陶瓷基板(S3)、第四陶瓷基板(S4)四个陶瓷基板平行，第一陶瓷基板（S1）上表面为上表面金属壁（G1），第二陶瓷基板（S2）上表面为第二金属壁（G2），第三陶瓷基板（S3）上表面有第一平面金属板（C1）、第四平面金属板（C4）、第五平面金属板（C5）、第八平面金属板（C8），第四陶瓷基板（S4）上表面有第二平面金属板（C2）、第三平面金属板（C3）、第六平面金属板（C6）、第七平面金属板（C7），第五陶瓷基板（S5）上表面为第三金属壁（G3），下表面为第四金属壁（G4）；第一金属柱壁（G01）一端接第四金属壁（G4）,另外一端接第二金属壁（G2）；第二金属柱壁（G02）一端接第二金属壁（G2）,另外一端接第一金属壁（G1）；第三金属柱壁（G03）一端接第一金属壁（G1）,另外一端接第三金属壁（G3）；第一金属柱壁（G01）、第二金属柱壁（G02）在同一个平面，第一金属柱壁（G01）、第二金属柱壁（G02）与第三金属柱壁（G03）垂直；输入端口（P1）与第一平面金属板（C1）一端相连，第一平面金属板（C1）与第二平面金属板（C2）之间为电容耦合、第二金属化通孔（L2）与第三金属化通孔（L3）之间为电感耦合、第三平面金属板（C3）与第四平面金属板（C4）之间为电容耦合、第四金属化通孔（L4）与第五金属化通孔（L5）之间为电感耦合、第五平面金属板（C5）与第六平面金属板（C6）之间为电容耦合、第五金属化通孔（L6）与第六金属化通孔（L7）之间为电感耦合、第七平面金属板（C7）与第八平面金属板（C8）之间为电容耦合、第八平面金属板（C8）一端与输出端口（P2）相连。 |
