发明名称 |
静态随机存取存储器 |
摘要 |
本发明公开一种静态随机存取存储器,包含:用于控制该静态随机存取存储器的写控制电路模块;藕接于该写控制电路模块并与该写控制电路模块藕接形成第一储存节点的第一反向电路;连接于一电压源与该互补电压源之间的第二反向电路;以及藕接至一读字线与一读位线并与该第一反向电路以及该第二反向电路共同藕接形成第二储存节点的读出缓冲电路;本发明通过利用读出缓冲电路对该读位线和该第二储存节点进行隔离,并通过该写控制电路模块对该静态随机存取存储器写入信息的状态进行控制,解决了现有技术中存在的读干扰问题。 |
申请公布号 |
CN101877243B |
申请公布日期 |
2015.09.30 |
申请号 |
CN201010153705.9 |
申请日期 |
2010.04.22 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
胡剑 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种静态随机存取存储器,至少包含:写控制电路模块,藕接至一写位线与一写字线,用于控制对该静态随机存取存储器写入信息的状态;第一反向电路,藕接于该写控制电路模块,并与该写控制电路模块藕接形成第一储存节点;第二反向电路,连接于一电压源与一互补电压源之间,并藕接至该第一储存节点;以及读出缓冲电路,与该第一反向电路以及该第二反向电路共同藕接,形成第二储存节点,该读出缓冲电路还分别藕接至一读字线与一读位线,该读出缓冲电路用于隔离该读位线与该第二储存节点;所述静态随机存取存储器的电路结构为非对称结构。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 |