发明名称 Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen mit gleichförmigen Silizidsperrschichten
摘要
申请公布号 DE10321457(B4) 申请公布日期 2008.04.17
申请号 DE20031021457 申请日期 2003.05.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 JANG, SE-MYEONG;JIN, GYO-YOUNG;OH, YONG-CHUL;KIM, HYUN-CHANG
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/417;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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