| 摘要 |
<p>Ein Beleuchtungssystem (6) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage (1) hat eine EUV-Lichtquelle (7), die einen Ausgabestrahl (13) linear polarisierten EUV-Beleuchtungslichts erzeugt. Eine Beleuchtungsoptik (24, 25, 31, 37) führt den Ausgabestrahl (13) längs einer optischen Achse (20), wodurch ein Beleuchtungsfeld in einer Retikelebene (2) mit dem Ausgabestrahl (13) beleuchtet wird. Eine mindestens die EUV-Lichtquelle (7) umfassende Beleuchtungs-Untereinheit (7) des Beleuchtungssystems (6) hat eine Polarisations-Einstelleinrichtung (15, 18) zur Vorgabe einer definierten Polarisation des EUV-Ausgabestrahls (13) der Beleuchtungs-Untereinheit (7). Es resultiert ein Beleuchtungssystem, das flexibel an Polarisationsanforderungen der Anlage sowie der auf das Substrat bzw. den Wafer zu projizierenden Struktur angepasst werden kann.</p> |
