发明名称 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:玻璃基板、栅线、栅电极等部分,其中栅电极和栅线上依次为第一绝缘层、有源层和掺杂层;第二绝缘层覆盖在玻璃基板上、栅线上及栅电极周边边缘处;像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接;源电极和数据线上方覆盖有透明像素电极层,该透明像素电极层在靠近沟道处搭接在栅电极上的掺杂层上;钝化层覆盖在像素电极及漏电极之外的部分。本发明同时公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法。本发明在传统工艺的基础上,利用光刻工艺实现了三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法,节约了阵列工艺的成本和占机时间,提高了产能。
申请公布号 CN101118355A 申请公布日期 2008.02.06
申请号 CN200610103865.6 申请日期 2006.08.04
申请人 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 发明人 邱海军;王章涛;陈旭;闵泰烨
分类号 G02F1/136(2006.01);G02F1/1343(2006.01);G02F1/1333(2006.01);G03F7/20(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 刘芳
主权项 1.一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、源电极、漏电极、像素电极及钝化层,其特征在于:栅电极和栅线上依次为第一绝缘层、有源层和掺杂层;第二绝缘层覆盖在玻璃基板上、栅线上及栅电极周边边缘处;像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接;源电极和数据线上方覆盖有透明像素电极层,该透明像素电极层在靠近沟道处搭接在栅电极上的掺杂层上;钝化层覆盖在像素电极及漏电极之外的部分。
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