发明名称 |
电容式半导体压力传感器 |
摘要 |
一种电容式半导体压力传感器(capacitive semiconductor pressuresensor)。该压力传感器主要包含有一由金属固定电极与一可动的多晶硅隔膜(diaphragm)所构成的平板电容(plate capacitor),设置于一非单晶硅基底上;以及一薄膜晶体管(TFT)控制电路,电连接于该平板电容,用来控制该压力传感器的操作。 |
申请公布号 |
CN100367527C |
申请公布日期 |
2008.02.06 |
申请号 |
CN03147270.2 |
申请日期 |
2003.07.11 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨健生 |
分类号 |
H01L49/00(2006.01);H01L27/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);G01L9/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L49/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1.一种电容式半导体压力传感器,其包含有:一非单晶硅基底;一可导电可动的多晶硅隔膜;一多晶硅支承构件,设于该非单晶硅基底上,用来固定该多晶硅隔膜的两端,使得该多晶硅隔膜与该非单晶硅基底之间形成一密闭凹穴;一固定电极,设于该多晶硅隔膜下方的该非单晶硅基底上,该固定电极与该多晶硅隔膜构成一平板电容;以及一薄膜晶体管控制电路,设于该非单晶硅基底上,并电连接于该平板电容。 |
地址 |
台湾省新竹市 |