使用智能功率技术的集成电路

摘要

本发明涉及一种使用智能功率技术的集成电路，尤其是用于应用在汽车领域，它至少具有：高电压端子(a1，a2)，用于连接到高电压(UH)上；一个具有低电压元件的智能开关电路(3)，一个连接在高电压端子(a1，a2)之间的ESD保护电路(4)，该保护电路具有一个用其源极(S)及用其漏极(D)连接到高电压端子(a1，a2)上的MOSFET(T1)，它的栅极(G)通过一个电阻(Rg)与其源极(S)相连接，其中栅极电阻(Rg)由多晶硅构成。按照本发明，通过使用多晶电阻作为栅极电阻(Rg)在相对小的面积使用和小的花费的情况下实现高的ESD强度。有利地，可以在MOSFET(T1)的源极(S)和栅极(G)之间以及在栅极(G)和漏极(D)之间分别在阻断方向上连接一个保护二极管(D1，D2)，它们在供电电压(UH)以上截止。

主权项

1.使用智能功率技术的集成电路，它至少具有：高电压端子(a1，a2)，用于连接到一个高电压(UH)上；一个具有一些低电压元件的智能开关装置(3)，一个连接在这些高电压端子(a1，a2)之间的ESD保护电路(4)，该保护电路具有一个用其源极(S)及用其漏极(D)连接到这些高电压端子(a1，a2)上的MOSFET(T1)，它的栅极(G)通过一个电阻(Rg)与其源极(S)相连接，其中该栅极电阻(Rg)由多晶硅构成。