| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN101038926A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200610166970.4 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 | 发明人 | 冈田和央;北川胜彦;野间崇;大塚茂树;山田纮士;石部真三;森田佑一;大久保登;篠木裕之;沖川满 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L31/0203(2006.01);H01L31/0232(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，其包括：在正面上形成有受光元件的半导体基板、在所述受光元件的上方而与所述半导体基板贴合的光透射性基板、形成在所述半导体基板反面上的配线层、形成在所述受光元件与所述配线层之间而把从所述光透射性基板通过所述半导体基板向所述配线层方向射入的红外线向所述受光元件侧反射的反射层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||