| 发明名称 | 存储器件的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器件的结构及其制造方法，此结构包括一衬底；一栅氧化层，配置在衬底的表面上；一栅极，配置在部分栅氧化层上；一埋入式漏极线，配置在栅极两侧的衬底中；一间隙壁，配置在栅极的两侧壁；一深掺杂区，配置在部分埋入式漏极线底下的衬底中，其中埋入式漏极线与深掺杂区共同作为存储器件的一位线；一绝缘层，配置在位线的上方；以及一字线，以垂直于位元线的方向配置在栅极与绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1259721C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN02141854.3 | 申请日期 | 2002.08.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄文信;张国华 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种存储器件的结构，其特征在于：包括：一衬底；一栅氧化层，配置在该衬底的表面上；一栅极，配置在部分该栅氧化层上；一埋入式漏极线，配置在该栅极两侧的该衬底中；一间隙壁，配置在该栅极的两侧壁；一深掺杂区，配置在部分该埋入式漏极线底下的该衬底中，其中该埋入式漏极线与该深掺杂区共同作为该存储器件的一位线；一绝缘层，配置在该位线的上方；一字线，以垂直于该位线的方向配置在该栅极与该绝缘层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||