| 主权项 |
1﹒在一磁性贮存装置内的一碟片其抗磁性之测量方法,包括:一可旋转的磁性贮存介质,且其上还具有许多数据记录轨道,形成数据记录位置,还有一个读入/写出磁头,选择性的位于数据记录位置之上;此测置方法包括下列步骤:将讯号记录在碟片上数个据记录位置上,施加直流消磁场,其大小足够使得其中一个记录位置上的被记录讯号被消去,测置足够使某一记钱位置上之被记镣讯号减少了50%(6dB)时所需的直流消磁场其大小,碟片的抗磁性是测得的直流消磁场其函数,故可计算出磁片的抗磁性。2.如申专利范围第1项之方法,其抗磁性Hx乃由下列函数关系求得:此处i为通过读入/写出磁头,能消去被记录数据50% (6dB)之电流,以安培为单位;N为磁头上的圈故目;g为用来记录数据的磁头其上面的隙沟长度;Aw为读入/写出磁头的效益;y为磁头下方足够测到一有效抗磁力之处的距离;Hx为抗磁场,以奥斯忒(Oe)为单位。3.如申请专利范围第2项之方法,其y乃选定为磁头至碟片表面的距离,加上碟记录单元厚度的二分之一。4.如申请专利范围第2项之方法,包括下列步骤:将磁头置于碟片上数据记录位置的上方,碟片上磁性区会被极化,即表示数据被贮存在此位置了,此时在磁头上会感应生出一磁场,测量此磁场,将测得的感应场贮存起来,并当作是初始场,施加直流消磁场并测量感应出的讯号,直到所测出的感应讯号是原初始讯号的一半为止,抗磁力Hx即为使此讯号振幅减低了一半时所需之外加消磁场。5﹒如申请专利范围第4项之方法,包括下列步骤:以可测得之渐增阶级,施加此直流消磁场对磁头测置读回讯号,并将其贮存起来,渐增加此直流消磁场,直到读回讯号是厚初始振幅的50%为止。6.如申请专利范围第5项之方法,其直流消磁场改变的渐增方式,约为50奥斯忒(Oe)。7.如申请专利范围第6项之方法,包括下列步骤:在相当于50%读回层面的数据点之间插入中项,这样解析度便可达到50奥斯忒(Oe)以下。8.如申请专利范范第5项之方法,包括实行下列步骤;在碟片此许多数据记录位置之处,侦测是否振幅降低50了%。9.在磁性介质单元的各个已知座标位置上,决定其磁特性之系统,其包括:经由记录磁头的隙构施加一写出电流,以将一序列孤立的磁性转移记录在此己知座标位置上之器件;经由磁头提供一数量的电流,以施加一直流消磁场之器件,此直流消磁场系由下列关系来决定此处y是磁头一介质间的距离,g隙沟宽度,I是外加电流,N是磁头上的圈数目,aw是一校正常数,且是与磁头的几何形状有关,乃由下式决定,测量所得的续回讯号之器件;以渐增的数量增加外加场之器件;画讯号读回对外加场之关系图的器件;这样,就可送出代表讯号値有50%流失的点,并将其定义为此介质的抗磁性。10.如申请专利范围第9项之方法,其包括:随着画图器件;能在-6dB读回讯号値之处选择直流消磁电流之器件;以及根据读回讯号,计算抗磁力之器件。11.如申请专利范围第9项之方法,其包括:随着画图器件,能送出半波宽度値之器件;以及在此半波宽度値处运作,以依据下列关系算出磁性介质的顽磁-厚度乘积値之器件,其中HC=矫顽磁力 ,pw=孤立半波宽度,g=读入/写出磁头隙沟长度,及d=分隔间隔。12.如申请专利范围第2项之方法,包括下列步骤:根据算出的Hx値,选定半波宽度値PW50,在此半波宽度値处运件,以依据下列关系算出磁性介质的顽磁-厚度乘积値,其中HC=矫顽磁力,pW=孤立半波宽度,g=读入/写出磁头隙沟长度,及d=分隔间隔。13﹒如申请专利范围第12项之方法,其中PW5o(半波宽度)=速度(Ap/Ep);Ap=一孤立的转移脉波下方之面积;ED=孤立的脉波其最大振幅。 |
