| 发明名称 |
GASEOUS PHASE GROWING METHOD FOR OXIDE SUPERCONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02210718(A) |
申请公布日期 |
1990.08.22 |
| 申请号 |
JP19890031329 |
申请日期 |
1989.02.10 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
NAKANISHI TAKATOSHI;EGUCHI KAZUHIRO;SATO TOSHIE |
| 分类号 |
C01B13/20;C01G1/00;C01G3/00;C23C16/30;H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24 |
主分类号 |
C01B13/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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