| 摘要 |
Est décrit un élément mémoire à circuits intégrés de type rémanent (10), qui est de taille plus petite que les éléments mémoire traditionnels et qui utilisent seulement deux couches de polysilicium, la portion de porte flottante (50) de l'élément mémoire étant formée en partie à base d'une première couche de polysilicium (20) et en partie à base d'une seconde couche de polysilicium (26), le contact entre les deux parties étant établi au moyen d'un pont de polysilicium résiduel ou au moyen d'une partie de chevauchement (34) placée entre les deux couches. La présente invention permet la formation en une seule étape d'oxydes à effet tunnel de programmation et d'effacement, tout en maximalisant le couplage capacitif entre la porte flottante (50) et le substrat (12) par formation d'une couche de dioxyde de silicium (102) entre la porte flottante et le substrat, indépendamment de la formation des éléments à effet tunnel de programmation (30) et d'effacement (28). |
