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<P>Ce circuit comprend notamment un transistor JFET comportant une source et un drain (42, 44) isolés, d'un type de conductivité dans la partie supérieure 16 d'un îlot (18) semi-conducteur, une grille supérieure (35) entre la source et le drain, une couche isolante enterrée (4) supportant l'îlot, une grille enterrée (12) dans l'îlot et au contact de la couche isolante, cette électrode présentant un second type de conductivité différent du premier, une zone diffusée (36) dans au moins un flanc (18a) de l'îlot à partir d'un matériau conducteur (29) recouvrant ledit flanc, ce matériau conducteur étant dopé avec des impuretés du second type de conductivité, la zone diffusée du second type de conductivité étant isolée électriquement des source et drain et assurant la prise de contact électrique de l'électrode et le matériau conducteur constituant le contact électrique de l'électrode, et des contacts de source et drain (50) et de grille (31).</P>
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