| 摘要 |
<P>L'invention concerne une cellule mémoire non volatile avec au moins un transistor métal-ferroélectrique-semi-conducteur comprenant une source (5), un drain (6) et une grille (4), la grille étant isolée de la source et du drain par une couche ferroélectrique (2). Les transistors d'une telle cellule mémoire comportent chacun une électrode latérale de programmation (BL) en contact avec une paroi verticale de la couche ferroélectrique et isolée de la grille et ils comportent aussi, de façon avantageuse, une couche diélectrique (7) entre les couches ferroélectrique et semi-conductrice (1). <BR/> Application aux mémoires statiques.</P>
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