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发明名称 MOS-gesteuerter Thyristor und Verfahren zu dessen Herstellung.
摘要
申请公布号 DE69107949(D1) 申请公布日期 1995.04.13
申请号 DE1991607949 申请日期 1991.10.07
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HAGINO, HIROYASU, C/O MITSUBISHI DENKI K. K, FUKUOKA-SHI, FUKUOKA-KEN, JP
分类号 H01L29/78;H01L21/331;H01L29/739;H01L29/745;(IPC1-7):H01L29/74 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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