| 发明名称 | 在半导体装置中的结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种用于在通过聚焦辐射(52)的熔丝体删除期间保护电结构(25)的结构和相关方法。所述结构(1)包括熔丝元件(2)、保护板(10)、第一介质层(14)，以及第二介质层(4)。结构(1)在半导体装置(5)中形成。保护板(10)利用镶嵌工艺在第一介质层(14)中形成。第二介质层(4)在保护板(10)和第一介质层(14)上形成。熔丝元件(2)在第二介质层(4)上形成。熔丝元件(2)适于通过激光束(52)切断。第二介质层(4)的介电常数大于第一介质层(14)的介电常数。保护板(10)适于保护第一介质层(14)不受来自激光束(52)的能量。 | ||
| 申请公布号 | CN100536140C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200480029416.0 | 申请日期 | 2004.10.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | W·T·莫特西夫;C·D·马齐 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置中的结构，包括：熔丝，保护板，第一介质层和第二介质层，其中所述保护板存在于所述第一介质层中，所述第二介质层在所述保护板和所述第一介质层上形成，所述熔丝在所述第二介质层上形成，所述熔丝适于通过激光束切断，所述第二介质层的介电常数大于所述第一介质层的介电常数，以及所述保护板适于保护所述第一介质层不受所述激光束的能量。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||