| 发明名称 | 一种纳米晶氮化铁薄膜材料及其用途 | ||
| 摘要 | 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的氮化铁薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶氮化铁薄膜磁敏材料的通式为Fe<sub>x</sub>N，其中x为材料中的铁原子与氮原子的原子个数比，2＜x＜4；薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶氮化铁薄膜与传统的半导体材料和颗粒薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101521085A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200810153328.1 | 申请日期 | 2008.11.25 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 刘晖;程雅慧 |
| 分类号 | H01F10/18(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1. 一种纳米晶氮化铁薄膜磁敏材料，其特征在于它的通式为FexN，其中x为材料中的铁原子与氮原子的原子个数比，2<x<4，薄膜厚度在4～400纳米。 | ||
| 地址 | 300071天津市卫津路94号南开大学信息学院 | ||