发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
在p型MOS晶体管(10)中,通过规定的湿法蚀刻除去栅电极(13)的一部份,使栅电极(13)的上部形成为比侧壁绝缘膜(14)的上部低的结构。通过该结构,即使形成有本来会带来p型MOS晶体管的特性恶化的拉抻应力(TESL)膜,从该TESL膜(16)向栅电极(13)和侧壁绝缘膜(14)施加的应力也会如图中虚线箭头所示那样被分散,其结果,在沟道区域施加压缩应力(compressive stress:压缩应力),导入压缩变形。这样,在p型MOS晶体管(10)中,即使形成了TESL膜(16),实际上也能够对沟道区域赋予用于提高p型MOS晶体管(10)的特性的变形,实现提高该p型MOS晶体管(10)的特性。 |
申请公布号 |
CN101523609A |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200680055979.6 |
申请日期 |
2006.09.29 |
申请人 |
富士通微电子株式会社 |
发明人 |
岛昌司 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
浦柏明;徐 恕 |
主权项 |
1. 一种半导体器件,在半导体区域具有p沟道型晶体管,该半导体器件的特征在于,上述p沟道型晶体管包括:第一栅电极,其形成在上述半导体区域的上方,第一侧壁绝缘膜,其形成在上述第一栅电极的两侧面,一对p型杂质扩散区域,形成在上述第一栅电极的两侧,拉抻应力绝缘膜,其至少覆盖上述第一栅电极和上述第一侧壁;上述第一栅电极的上部比上述第一侧壁绝缘膜的上部低。 |
地址 |
日本东京都 |