制备用于半导体元件的互连的方法

摘要

在一个方面中，本发明包括制备用于半导体元件互连的方法。提供了半导体衬底，并且开口(212)形成为完全地延伸穿过衬底。在小于或等于大约200℃的温度下，沿着开口侧壁(218)来沉积上第一材料(220)。这种沉积可包括原子层沉积和化学气相沉积中的一种或两种，并且第一材料可包括金属氮化物。焊料可润湿的材料(224)形成于第一材料的表面之上。例如，焊料可润湿的材料可包括镍。随后，将焊料(240)提供至该开口中和该焊料可润湿的材料之上。

主权项

1.一种制备用于半导体元件的互连的方法，包括：提供半导体元件，所述元件具有处在第一高度水平的第一侧，以及处在所述第一高度水平之上的第二高度水平的相对的第二侧；形成完全地延伸穿过所述元件的开口，所述开口因此而从所述元件的第一侧延伸至所述元件的所述相对的第二侧，所述开口具有侧壁；沿着所述开口的侧壁来沉积第一材料，所述沉积在小于或等于200℃的温度下进行，所述第一材料由金属氮化物组成；和在所述开口中并在所述第一材料之上镀上焊料可润湿的材料，所述焊料可润湿的材料仅仅部分地填充了所述开口；以及在所述开口中并沿着所述焊料可润湿的材料来形成焊料，所述焊料填充了所述开口并从所述元件的所述第一侧的第一高度水平延伸至所述元件的所述相对的第二侧的第二高度水平。