| 发明名称 | 具有自对准体的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括体区，该体区具有：源区、漏区、插在源区与漏区之间的沟道区以及从该沟道区的端部开始延伸的体区。在沟道区和体区上形成栅极图形，而且体接触使栅极图形连接到体区。体区延伸部分的侧壁自对准栅极图形的侧壁。还公开了用于形成具有自对准体和体接触的半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100536164C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200510106912.8 | 申请日期 | 2005.09.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑载勋;林勋;郑舜文;赵厚成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：源区和漏区、插入源区与漏区之间的沟道区以及从该沟道区的端部开始延伸的体区延伸部分；栅极图形，位于沟道区和体区延伸部分上；以及体接触，使栅极图形电连接到体区延伸部分，其中体区延伸部分的侧壁对准栅极图形的侧壁。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||