发明名称 探测卡及其制造方法和半导体检测装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种探测卡、探测卡的制造方法、半导体检测装置以及半导体装置的制造方法。将硅基板作为型材,在该硅基板上采用光刻技术依次层叠金属膜以及聚酰亚胺膜等的薄膜,由此以单片梁构造形成前端具有棱锥形状或棱台形状的接触端子(4)的探测片(5),而且将固定基板(6)固定粘结在该探测片(5)上之后,将所形成的探测片(5)依次层叠在硅基板上来固定粘结基板,通过蚀刻除去硅基板以及规定的聚酰亚胺膜,一并形成单片梁构造的接触端子(4)组。
申请公布号 CN101520470A 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200810166540.1 申请日期 2008.10.17
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 春日部进;成塚康则
分类号 G01R1/073(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01R1/073(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华
主权项 1. 一种探测卡,其特征在于,具有探测片,该探测片包括:与设置在被检测对象上的电极接触的多个接触端子;分别从上述多个接触端子上电引出的布线;以及与上述布线电连接,且与多层布线基板的电极连接的多个外围电极,在上述探测片中,在与形成有上述多个接触端子的第一面相反一侧的第二面上,固定基板被固定在形成有上述多个接触端子的区域上,且设置有能掀动上述固定基板的机构,上述多个接触端子分别与上述探测片分离而延伸,且形成在与上述布线电连接的梁的一端,上述梁的另一端固定在上述探测片上。
地址 日本东京都