绝缘栅型双极晶体管

摘要

本发明提供一种绝缘栅型双极晶体管。本发明的IGBT的特征在于：具有第一导电型的第一半导体区域、形成于第一半导体区域的一个主面侧的第二导电型的第二半导体区域、形成于第二半导体区域内的表面的第一导电型的第三半导体区域、具有规定深度和宽度地形成于第一半导体区域的另一个主面侧的第一导电型的第四半导体区域、形成在第四半导体区域内的表面的第二导电型的第五半导体区域、隔着绝缘膜与第二半导体区域相对地形成的栅极电极、以及形成在第一半导体的另一个主面侧的集电极电极；第一半导体区域、第四半导体区域和上述第五半导体区域从第一半导体区域的另一个主面露出，分别与集电极电极接合。

主权项

1.一种绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，具有：第一导电型的第一半导体区域，形成于该第一半导体区域的一个主面侧的第二导电型的第二半导体区域，形成在该第二半导体区域内的表面的第一导电型的第三半导体区域，具有规定深度和宽度地形成在上述第一半导体区域的另一个主面侧的第一导电型的第四半导体区域，形成在该第四半导体区域内的表面的第二导电型的第五半导体区域，隔着绝缘膜与上述第二半导体区域相对地形成的栅极电极，以及形成在上述第一半导体区域的另一个主面侧的集电极电极；上述第一半导体区域、上述第四半导体区域和上述第五半导体区域从上述第一半导体区域的另一个主面露出，且分别与上述集电极电极接合。