发明名称 | 一种提高LED发光二极管亮度的量子垒设计方法 | ||
摘要 | 一种提高LED发光二极管亮度的量子垒设计方法,该LED发光二极管外延片结构从下向上的顺序为:衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层;发光层多量子阱从下往上包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层;其中多量子阱发光层分三部分,第一部分量子阱垒层采用非掺杂铝组分方式生长;第二部分量子阱垒层采用掺杂10%铝组分方式生长,总厚度保持不变;第三部分量子阱垒层同样采取掺杂5%-8%铝组分方式生长,总厚度保持不变。本发明方法能够获得高发光强度的GaN系发光二极管。 | ||
申请公布号 | CN103346217A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
申请号 | CN201310287298.4 | 申请日期 | 2013.07.10 |
申请人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 发明人 | 李永 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种提高LED发光二极管亮度的量子垒设计方法,该LED发光二极管的外延片结构从下向上的顺序依次为:衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层;发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构;其特征在于,其中多量子阱发光层分三部分,生长压力采用高压大于200Torr,并且该三部分阱层都采用类梯形结构方式生长,第一部分量子阱的垒层采用非掺杂铝组分方式生长;第二部分量子阱的垒层采用掺杂10%摩尔含量的铝组分方式生长,总厚度保持不变;第三部分是最后单独的一个量子阱垒层,同样采取掺杂5%‑8%摩尔含量的铝组分方式生长,总厚度保持不变。 | ||
地址 | 230012 安徽省合肥市新站区工业园内 |