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发明名称 VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 EP1542270(A4) 申请公布日期 2009.07.22
申请号 EP20030765376 申请日期 2003.07.24
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 HOSHINO,T;HARADA,S;FUJIKAWA,K;HATSUKAWA, S;HIROTSU,K
分类号 H01L29/80;H01L21/337;H01L29/06;H01L29/808;(IPC1-7):H01L21/337 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
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