SOI晶片及其制造方法

摘要

本发明提供一种SOI晶片及其制造方法，该SOI晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为：发生在SOI晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm²以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，抑制剥离时所发生的SOI岛的产生，并且降低SOI晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。

主权项

1.一种SOI晶片，其特征为：是利用在常温下粘接两片硅晶片之后，至分离成SOI晶片和剥离晶片的期间，仅进行1次热处理，或是不进行热处理来进行剥离的离子注入剥离法，结合两片硅晶片所制作的SOI晶片，在SOI晶片边缘部所产生的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm。