用于分子诊断学中的探测的光二极管

摘要

公开了一种光二极管(200)，例如PN或PIN光二极管。光二极管接收具有第一和第二谱分布的入射辐射，其中，第一谱分布从第二谱分布发生了谱移。光二极管具有第一半导体层(211)，第一半导体层(211)能够吸收具有第一谱分布的入射辐射(231)而不产生光电流，并同时透射具有第二谱分布的入射辐射到本征层(212)中用于产生光电流(213)。可以与探测目标分子的存在来结合使用光二极管，该目标分子标记有诸如荧光团或量子点的标记剂。标记剂的特征在于斯托克斯位移，并且因此它们发射具有第二谱分布的荧光辐射，第二谱分布从具有第一谱分布的照明辐射发生了谱移。

主权项

1、一种光二极管(200，500)，其包括：-掺杂有第一杂质的第一半导体层(211，511)，所述第一半导体层适于接收入射辐射(231，232)，所述入射辐射具有中心波长至少为350nm的谱分布；-掺杂有第二杂质的第二半导体层(213，513)；-第三半导体区(212，512)，当利用所述入射辐射(231，232)的至少部分来激发所述第三半导体区时，其能够产生自由电子(241，541)和自由空穴(242，542)，其中-所述入射辐射(231，232)包括具有第一谱分布和第二谱分布的辐射，其中，所述第一谱分布从所述第二谱分布发生了谱移；-所述第一半导体层(211，511)能够吸收具有所述第一谱分布的入射辐射(231)，其中，对具有所述第一谱分布的辐射的所述吸收对光电流(213)没有显著贡献；-所述第一半导体层(211，511)能够透射具有所述第二谱分布的所述入射辐射(232)；以及-由具有所述第二谱分布的辐射产生的所述第三半导体区(212，512)中的所述自由电子(241，541)和自由空穴(242，542)产生光电流(213)。