| 发明名称 | 金属栅极电极及其制作方法 | ||
| 摘要 | 公开了用于互补金属氧化物半导体(“CMOS”)应用的稳定金属栅极电极和制作稳定的金属栅极电极的方法。具体而言，通过合金化来稳定金属栅极电极，其中合金包括从Re、Ru、Pt、Rh、Ni、Al及其组合中选择的金属和从W、V、Ti、Ta及其组合中选择的元素。 | ||
| 申请公布号 | CN101488520A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200910003572.4 | 申请日期 | 2009.01.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | V·S·巴斯克尔;H·迪利吉安尼;R·杰米;V·K·帕鲁丘里;L·T·罗曼基乌 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;C25D3/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1. 一种金属栅极电极，包括从Re、Ru、Pt、Rh及其组合中选择的金属和从Ni、Y、Ti、Ta、W、C、Al及其组合中选择的合金化合物。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||