半导体器件及其制造方法

摘要

一种FinFET及其制造方法。本发明方法提供了用于制造具有分隔栅极的FinFET的好方法。该方法与大范围的介电材料和栅极电极材料兼容，只需栅极电极材料可以共形沉积。在鳍(4)每侧提供至少一直立结构(或“伪鳍”)(40)在本地提高了栅极电极材料层(70)厚度。具体地，由于每个直立结构(40)与鳍(4)相应侧间最短距离依本发明设置为小于共形层的两倍，跨过每个直立结构(40)和鳍(4)之间距离的栅极电极材料层(70)厚度相对于衬底(2)平面区域上的栅极电极材料层增加了。因此在去除鳍(4)上覆盖的栅极电极材料(70)的各向异性蚀刻后，直立结构和鳍间仍存留一些材料。因此形成了更大的栅极电极材料区域以用作栅极接触垫。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供具有绝缘上表面的衬底(2)；(b)在所述衬底的上表面上形成半导体材料的鳍(4)，所述鳍具有第一和第二相反侧；(c)在所述鳍(4)的每侧形成至少一个直立结构(40)，所述直立结构与所述鳍的相应侧横向隔离；(d)沉积栅极电极材料的共形层(70)；(e)对栅极电极材料层构图；以及(f)各向异性蚀刻去除栅极电极材料，直到与鳍的第一侧相邻的栅极电极材料与鳍的第二侧上的栅极电极材料相分隔，每个直立结构与鳍的相应侧之间的最短距离小于步骤(d)中沉积的共形层的厚度的二倍。