| 发明名称 | 超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成，沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低，运行稳定，成膜质量好等优点，可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN100516288C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200710018065.9 | 申请日期 | 2007.06.15 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 郭烈锦;苏进展;李明涛;张西民 |
| 分类号 | C23C16/00(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈翠兰 |
| 主权项 | 1、一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，该系统包括储液罐(21)、雾化室(24)、沉积室(40)和鼓泡池(39)，其特征在于，储液罐(21)的出液口(7)与雾化室(24)的进液口(14)相连接，储液罐(21)的进气孔(1)与雾化室(24)的液位线处在同一水平线上，雾化室(24)的气雾出口(8)与沉积室(40)的气雾入口(27)相连接，气雾入口(27)与喷头(35)相连接，沉积室(40)的废气出口(38)与鼓泡池(39)连接。 | ||
| 地址 | 710049陕西省西安市咸宁路28号 | ||