| 发明名称 | 氮氧化硅栅极电介质的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法，在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构，该方法包括：在二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层，该基氮氧化层具有低的N离子浓度；形成主氮氧化物结构，该主氮氧化物结构具有高的N离子浓度；其中，该基氮氧化层防止该主氮氧化物结构中的N离子或者N原子穿透该二氧化硅和硅基材的界面。该方法能在提供高N离子浓度的同时确保SiO<sub>2</sub>和Si基材的界面不被穿透破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN101488454A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200810032608.7 | 申请日期 | 2008.01.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆 嘉 |
| 主权项 | 1. 一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法，在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构，该方法包括：在所述二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层，该基氮氧化层具有低的N离子浓度；形成主氮氧化物结构，该主氮氧化物结构具有高的N离子浓度；其中，该基氮氧化层防止该主氮氧化物结构中的N离子或者N原子穿透该二氧化硅和硅基材的界面。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||