发明名称 快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料
摘要 本发明提供一种快速模拟出相变材料的方法,其首先建立能形成A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的A和B元素库,并分别从A和B元素库中选择出相应的元素以模拟形成A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物,然后根据右下式计算所模拟形成的A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的p轨道电离度r<sub>σ</sub>′和s-p轨道的杂化程度r<sub>π</sub><sup>-1</sup>,进而判断所计算出的p轨道电离度r<sub>σ</sub>′和s-p轨道的杂化程度r<sub>π</sub><sup>-1</sup>是否满足0.5>r<sub>σ</sub>′且2.8>r<sub>π</sub><sup>-1</sup>条件,若是,则模拟出的所述A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物即为具备相变性能的相变材料,由此可快速筛选出潜在的新型相变材料,此法很大程度上降低了材料制备、工艺摸索、性能表征所需的工作量,缩短了新型相变材料发现的周期。通过此法还发现了Sn<sub>x</sub>Sb<sub>1-x</sub>或Al<sub>x</sub>Sb<sub>1-x</sub>的二元晶态化合物的相变材料。
申请公布号 CN101487140A 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200910045928.0 申请日期 2009.01.22
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 宋志棠;饶峰
分类号 C40B50/02(2006.01)I;C40B40/18(2006.01)I;C22C13/02(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I 主分类号 C40B50/02(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 余明伟
主权项 1.一种快速模拟出相变材料的方法,其特征在于包括以下步骤:1)建立能形成A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的A和B元素库,其中,B元素库中的元素为具有未成对p轨道价电子的V族或VI族元素;2)分别从A和B元素库中选择出相应的元素以模拟形成A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物;3)根据<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>r</mi><mrow><mi>p</mi><mo>,</mo><mi>i</mi></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>i</mi></msub></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>r</mi><mrow><mi>p</mi><mo>,</mo><mi>j</mi></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>j</mi></msub></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow></mrow></math>]]></maths>和<maths num="0002"><![CDATA[<math><msup><mrow><mo>[</mo><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>i</mi></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>r</mi><mrow><mi>p</mi><mo>,</mo><mi>i</mi></mrow></msub><mo>-</mo><msub><mi>r</mi><mrow><mi>s</mi><mo>,</mo><mi>i</mi></mrow></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>i</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>i</mi></msub></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>j</mi></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>r</mi><mrow><mi>p</mi><mo>,</mo><mi>j</mi></mrow></msub><mo>-</mo><msub><mi>r</mi><mrow><mi>s</mi><mo>,</mo><mi>j</mi></mrow></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>&Sigma;</mi><mi>j</mi></msub><msub><mi>n</mi><mi>j</mi></msub></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo></mrow><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup></math>]]></maths>计算所模拟形成的A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的p轨道电离度r<sub>σ</sub>′和s-p轨道的杂化程度<img file="A200910045928C00023.GIF" wi="73" he="54" />其中,n<sub>i</sub>、n<sub>j</sub>分别为所述A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的阴、阳离子数,r<sub>p,i</sub>为相应A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的阴离子p价轨道半径,r<sub>p,j</sub>为相应A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物的阳离子p价轨道半径;4)判断所计算出的p轨道电离度r<sub>σ</sub>′和s-p轨道的杂化程度<img file="A200910045928C00024.GIF" wi="49" he="57" />是否满足0.5&gt;r<sub>σ</sub>′且<maths num="0003"><![CDATA[<math><mrow><mn>2.8</mn><mo>></mo><msubsup><mi>r</mi><mi>&pi;</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msubsup></mrow></math>]]></maths>条件,若是,则模拟出的所述A<sub>j</sub>B<sub>i</sub>二元晶态化合物即为具备相变性能的相变材料。
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