氮化镓基半导体结构组合及其制造方法

摘要

本发明揭露一种氮化镓基半导体结构组合及其制造方法。根据本发明之氮化镓基半导体结构组合包含一基板、一第一氮化镓层以及一第二氮化镓层。该第一氮化镓层与该第二氮化镓层系分别以不同的磊晶制程来磊晶。特别地，该第一氮化镓层能促进该第二氮化镓层之磊晶品质。