| 主权项 |
1.一种晶圆切割结构改良，其包括：一裁切机构，其至少包含有一雷射刀及一切割刀；以及晶圆，其一面系与裁切机构对应，可由雷射刀于晶圆上成型出一凹槽，并以切割刀由凹槽处对晶圆作切割。2.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该切割刀系可为锯齿刀。3.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该切割刀系可为钻石刀。4.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该晶圆系可为多层磊晶之晶圆。5.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该晶圆系可为CMOS元件。6.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该晶圆系可为BJT元件。7.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该晶圆系可为MOS元件。8.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该晶圆系可为记忆体元件。9.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该凹槽系略呈一V型。10.依申请专利范围第1项所述之晶圆切割结构改良，其中，该凹槽之深度系为晶圆整体厚度之5%～20%。图式简单说明：第1图，系本创作之基本架构示意图。第2、3图，系本创作之切割状态示意图。第4图，系习用之基本架构示意图。第5图，系习用之切割状态示意图。 |
