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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
一种半导体装置包括一半导体基体、配置在该半导体基体的一上表面上且连接到其上之一积体电路的一连接电极、穿透该半导体基体及该连接电极的一贯穿电极、及介于该半导体基体与该贯穿电极之间的一绝缘部分。该贯穿电极被整体地形成以从该半导体基体及该连接电极的上表面向外突出,且在该贯穿电极穿透该连接电极的一区域中被连接到该连接电极。
申请公布号
TW200924129
申请公布日期
2009.06.01
申请号
TW097129635
申请日期
2008.08.05
申请人
史班逊有限公司
发明人
星野雅孝;福山良太;田谷耕治
分类号
H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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