半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种半导体装置的制造方法，此方法透过在对源极与汲极区中之半导体基板进行蚀刻后，使用包含有掺杂物的氧化膜形成潜接面，藉以消除泄漏电流增大之成因，进而可于高集成度积体电路中抑制功率升高。