具有电荷储存区之非挥发性记忆元件

摘要

本发明之记忆元件包含一单元堆叠以及形成于该单元堆叠之旁侧的一选择闸极。该单元堆叠包含一隧穿介电层、一电荷储存层、一阻挡介电层以及一控制闸极。当施加一正向偏压于该记忆元件之控制闸极、选择闸极及源极时，负电荷系藉由热电子注入机制从该基板之通道区经由该隧穿介电层(位于该控制闸极及选择闸极之间隙附近)而注入该电荷储存层，从而将该负电荷储存于该电荷储存层之中。当施加一反向偏压于该控制闸极时，正电荷从该基板之通道区经由该隧穿介电层而直接隧穿进入该电荷储存层之中，从而将该正电荷储存于该电荷储存层之中。