像是矽控整流器之垂直电流受控绝缘层上矽（ＳＯＩ）装置，以及形成垂直ＳＯＩ电流受控装置的方法

摘要

本发明揭露一种绝缘层上覆矽(SOI)积体电路(IC)晶片，其具有诸如垂直矽控整流器(SCR)、垂直双极性电晶体、垂直电容器、电阻器及/或垂直捏缩电阻器等元件，本发明亦关于制造该（等）元件之方法。该等元件形成于一晶种孔中，该晶种孔贯穿SOI表面层及绝缘层而至该基板。一埋藏扩散区（例如，N型）系形成穿过该基板中之晶种孔。一掺杂磊晶层形成于该埋藏扩散区上，且可包括多个掺杂层，例如，一P型层及一N型层。多晶矽（例如，P型）可形成于该掺杂磊晶层上。在一接触衬垫中形成至该埋藏扩散区之接点。