发明名称 |
金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法,在该方法中先提供衬底。然后,在衬底上形成栅极结构材料层。而后,通入含碳前驱气体以及反应气体,以在栅极结构材料层上形成含碳掩模材料层。接着,将含碳掩模材料层与栅极结构材料层图形化,以形成含碳硬掩模层与栅极结构。之后,在栅极结构与含碳硬掩模层的侧壁上形成间隙壁。随后,在衬底上形成保护层。接着,移除部分保护层,而暴露出部分衬底表面。然后,在暴露的衬底上形成掺杂外延层。 |
申请公布号 |
CN100479120C |
申请公布日期 |
2009.04.15 |
申请号 |
CN200610121572.0 |
申请日期 |
2006.08.23 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
郑博伦;刘哲宏 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成栅极结构材料层;通入含碳前驱气体以及反应气体,以在所述栅极结构材料层上形成含碳掩模材料层;将所述含碳掩模材料层与所述栅极结构材料层图形化,以形成含碳硬掩模层与栅极结构;在所述栅极结构与所述含碳硬掩模层的侧壁上形成间隙壁;在所述衬底上形成保护层;移除部分所述保护层,暴露出部分所述衬底;以及在暴露的部分所述衬底上形成掺杂外延层。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |