在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法

摘要

公开了改进自对准多晶硅化物的接触形成并减小晶体管的外部电阻的方法和装置。在衬底表面形成栅电极。在衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区。在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅上淀积镍。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅化物层。在该镍硅锗硅化物层上形成镍硅硅化物层。

主权项

1.一种方法，包括：在衬底表面上形成栅电极；在所述衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区；在所述源区和所述漏区中淀积硅锗合金；在所述硅锗合金上淀积材料的牺牲层，该牺牲层的锗浓度低于所述硅锗合金的锗浓度；在所述牺牲层上淀积金属；在所述硅锗合金上形成第一硅化物层；以及在所述第一硅化物层上形成第二硅化物层。