III族-氮化物功率半导体器件

摘要

一种包括二维电子气的III族-氮化物功率半导体器件，该二维电子气具有在所述功率半导体器件的栅极下方的减小的电荷区域。

主权项

1、一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括：III族-氮化物异质结主体，该III族-氮化物异质结主体包括第一III族-氮化物主体和第二III族-氮化物主体，所述第二III族-氮化物主体具有与所述第一III族-氮化物主体不同的带隙；第一功率电极，该第一功率电极耦合到所述第二III族-氮化物主体；第二功率电极，该第二功率电极耦合到所述第二III族-氮化物主体；栅极排列，该栅极排列被置于所述第一功率电极与所述第二功率电极之间；以及传导沟道，该传导沟道包括处于传导状态的二维电子气，所述二维电子气包括位于所述栅极排列下方的减小的电荷区域，该减小的电荷区域比其邻近的区域传导性弱。