| 发明名称 | 氮化物半导体基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体基板及其制造方法。所述方法包括：提供基板，之后于基板上形成外延层。于外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层裸露部份外延层。接着，进行氧化工艺以使裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构。移除图案化掩模层。接着，于具有错位阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100479099C | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200610154293.4 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 赖志铭;蔡政达;刘文岳;郭义德 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体基板的制造方法，包括：提供基板；在该基板上形成外延层；在该外延层上形成图案化掩模层，其中该图案化掩模层裸露部份该外延层；进行氧化工艺以使所述裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构；移除该图案化掩模层；以及在具有所述错位阻挡结构的所述外延层上形成氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||