METHOD OF ETCHING A SACRIFICIAL SILICON OXIDE LAYER,申请号EP20070789096-传众专利搜索

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发明名称	METHOD OF ETCHING A SACRIFICIAL SILICON OXIDE LAYER
摘要
申请公布号	EP2046677(A1)	申请公布日期	2009.04.15
申请号	EP20070789096	申请日期	2007.08.02
申请人	MEMSSTAR LIMITED	发明人	O'HARA, ANTHONY
分类号	B81C1/00	主分类号	B81C1/00
代理机构		代理人
主权项
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