用于制造SOI基板及半导体器件的方法

摘要

提供一种用于制造设置有甚至当使用了诸如玻璃基板等等之类的具有低耐热温度的基板时仍可实际使用的半导体层的SOI基板的方法。该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。

主权项

1.一种用于制造SOI基板的方法，包括以下步骤：用离子辐照半导体晶片以在所述半导体晶片中形成损伤层；将所述半导体晶片与支撑基板结合；加热所述半导体晶片以使所述半导体晶片在所述损伤层处分离，从而在所述支撑基板上形成单晶半导体层；对所述单晶半导体层进行湿法刻蚀；以及用激光束辐照所述单晶半导体层。