真空镀膜设备

摘要

本发明所提供的真空镀膜装置，包括真空室[1]，真空室有进出工件用的门，真空室内安装有电弧靶[2]、磁控靶[6]、加热装置[3]和工件架[4]，工件架经一行星齿轮机构安装在真空室中；所述电弧靶有28到60个且分四列均匀分布在真空室壁上，电弧靶采用逆变电源供电；所述磁控靶为一对柱形靶且并列设置在真空室中心，磁控靶采用中频电源供电。因这一结构特性，使本发明在真空室中形成一个环形离子沉积区，使靶材获得较高的离化度和使得电弧靶和磁控靶之间等离子体分布均匀，从而提高镀膜效率和离子镀效果，降低镀膜成本，提高涂层均匀性，镀膜过程更易于控制。与现有技术相比，本发明可应用于超长工件，和获得超硬、超厚镀膜。

主权项

1、一种真空镀装置，包括真空室，真空室有进出工件用的门，真空室内安装有电弧靶、磁控靶、加热装置和工件架，工件架经一行星齿轮机构安装在真空室中，其中行星齿轮机构的太阳齿轮安装在真空室壁上，工件架安装在行星齿轮上，有电动机经变速机构安装在行星架驱动轴上；其特征是所述电弧靶有28到60个且分四列均匀分布在真空室壁上，电弧靶材为Cr、Ti、Zr中的任意一种或任意两种或全部三种，电弧靶采用逆变电源供电；所述磁控靶为一对柱形靶且并列设置在真空室中心，磁控靶材为石墨或硅，磁控靶采用中频电源供电。