发明名称 Halbleiterstruktur mit einem elektrisch leitfähigen Strukturelement und Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur
摘要 <p>Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Halbleitersubstrat. Über dem Halbleitersubstrat wird eine Schicht aus einem elektrisch isolierenden Material ausgebildet. In der Schicht aus elektrisch isolierendem Material ist ein elektrisch leitfähiges Strukturelement ausgebildet. Eine erste Schicht aus einem Halbleitermaterial wird zwischen dem elektrisch leitfähigen Strukturelement und der Schicht aus dem elektrisch isolierenden Material ausgebildet.</p>
申请公布号 DE102007046851(A1) 申请公布日期 2009.04.09
申请号 DE20071046851 申请日期 2007.09.29
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG 发明人 FEUSTEL, FRANK;LETZ, TOBIAS;PETERS, CARSTEN
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
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