发明名称 |
等离子体损害保护电路 |
摘要 |
一种等离子体损害保护电路,包括具有避免等离子体损害特性的一字线驱动器。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时,电荷可由字线通过至少字线驱动器传导至半导体衬底。另一等离子体损害保护电路包括连接多个字线驱动器的一组件。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时,电荷可由字线通过至少该组件传导至半导体衬底。因此,这些等离子体损害保护电路即可保护集成电路避免遭受等离子体工艺的损害又可节省集成电路的使用空间。 |
申请公布号 |
CN100477217C |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200510076165.8 |
申请日期 |
2005.06.08 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
黄俊仁;史毅骏;周铭宏 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王志森;黄小临 |
主权项 |
1.一种集成电路,包括:一半导体衬底;一存储器阵列,连接于该半导体衬底;多条字线,连接于该存储器阵列;以及多个字线驱动器,连接该多条字线,各该多个字线驱动器包括一组件,连接一电压以及对应的该字线;其中当制造中电荷产生于该多条字线时,各该多条字线的该电荷经由对应的该字线驱动器的该组件流向该电压以传导至该半导体衬底。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |