| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，其包括在形成包含Si的光致抗蚀剂膜之后进行O<sub>2</sub>等离子体处理步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN100477080C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200610151548.1 | 申请日期 | 2006.09.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李晟求;郑载昌 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体装置的方法，此方法包括：(a)在半导体基板上依序形成底层、硬掩模层、抗反射膜、包含Si的第一光致抗蚀剂膜；(b)使用第一曝光掩模将第一光致抗蚀剂膜加以曝光和显影，而形成第一光致抗蚀剂图案；(c)在第一光致抗蚀剂图案上进行O2等离子体处理；(d)在O2等离子体处理的第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂膜，以及使用第二曝光掩模将相对于第一光致抗蚀剂图案的交错区域加以曝光和显影，而形成第二光致抗蚀剂图案；(e)以第一和第二光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻抗反射膜，由此形成抗反射图案；以及(f)以抗反射图案作为掩模来蚀刻硬掩模层而形成硬掩模图案，并且以硬掩模图案作为掩模来蚀刻底层，由此形成底图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||