制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体装置的方法，其包括在形成包含Si的抗反射膜之后进行O₂等离子体处理步骤。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，此方法包括：(a)在半导体基板上依序形成底层、硬掩模层、包含Si的第一抗反射膜、第一光致抗蚀剂膜；(b)使用第一曝光掩模将第一光致抗蚀剂膜加以曝光和显影而形成第一光致抗蚀剂图案，并且以第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第一抗反射膜，由此形成第一抗反射图案；(c)在第一抗反射图案上进行O2等离子体处理；(d)在O2等离子体处理的第一抗反射图案上依序形成第二抗反射膜和第二光致抗蚀剂膜，以及使用第二曝光掩模将相对于第一抗反射图案的交错区域加以曝光和显影，而形成第二光致抗蚀剂图案；(e)以第二光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第二抗反射膜，由此形成第二抗反射图案；以及(f)以第一和第二抗反射图案作为掩模来蚀刻硬掩模层而形成硬掩模图案，并且以硬掩模图案作为掩模来蚀刻底层，由此形成底图案。