| 发明名称 | 一种在沟槽蚀刻中降低线条边缘粗糙度的方法及其半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种在衬底(图3B，304)上的介质层(图2B，308)中将沟槽(图3B，314)蚀刻到沟槽深度(图3B，318)的方法。将ARC(图3B，310)加到介质层(图2B，308)上。在ARC(图3B，310)上形成光致抗蚀剂掩模(图3B，312)，其中光致抗蚀剂掩模具有厚度。以贯穿方式蚀刻ARC。将沟槽(图3B，314)蚀刻到介质层中，介质对光致抗蚀剂的蚀刻选择性在1∶1和2∶1之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100477135C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200480040167.5 | 申请日期 | 2004.11.03 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | E·沃加纳;H·H·朱;D·乐;P·勒温哈德特 |
| 分类号 | H01L21/4763(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/4763(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上的介质层中将沟槽蚀刻到沟槽深度的方法，所述方法包括：在所述介质层上形成ARC；在所述ARC上形成光致抗蚀剂掩模，其厚度为<img file="C2004800401670002C1.GIF" wi="202" he="61" />到<img file="C2004800401670002C2.GIF" wi="187" he="60" />之间；以贯穿方式蚀刻所述ARC；以及将沟槽蚀刻到所述介质层中，介质对光致抗蚀剂的蚀刻选择比在1∶1和2∶1之间，其中蚀刻所述沟槽的步骤包括提供蚀刻剂气体，所述蚀刻剂气体具有少于5％的重聚合物成形蚀刻剂气体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||