| 发明名称 | 用于化学机械研磨平面化的双硅层鳍状场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种鳍状场效应晶体管型式的半导体装置，系包括有鳍结构(210)，于其上具有相对较薄的非晶硅层(420)而后再形成未掺杂的多晶硅层(425)。该半导体装置可使用化学机械研磨(CMP)将的平面化，其中该非晶硅层(420)系做为终止层(stop layer)以避免损害鳍结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100477258C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200480016134.7 | 申请日期 | 2004.06.05 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | K·阿楚坦;S·S·艾哈迈德;汪海宏;俞斌 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：于绝缘体上形成鳍结构(210)；于至少一部分的鳍结构以及一部分的绝缘体的上方形成栅极结构，该栅极结构包含第一层(420)及形成于第一层上的第二层(425)；并且通过执行栅极结构的化学机械研磨而将栅极结构平面化，该栅极结构第一层(420)的平面化速率比栅极结构第二层的平面化速率慢，该平面化过程会持续直至第一层的较高表面暴露于鳍上方的区域中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||